三重超级周期！野村：明年DRAM、NAND和HBM需求同时爆发，有望推动存储市场翻倍
三重超级周期！野村：明年DRAM、NAND和HBM需求同时爆发，有望推动存储市场翻倍
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张雅琦
野村证券认为，全球存储产业将进入DRAM、NAND与HBM“三重超级周期”，在AI服务器与通用服务器投资同步回暖下，2026年市场规模或飙升至4450亿美元、同比近翻倍。HBM4放量、eSSD需求或翻倍，加上洁净室短缺限制扩产，推高DRAM与NAND价格与利润率至历史高位。
野村证券在5日发布的报告中指出，全球存储市场正迎来前所未有的“三重超级周期”（Triple Super-Cycle），DRAM、NAND和HBM（高带宽内存）的需求将在2026年同时爆发。
据追风交易台消息，野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储市场规模有望在2026年同比增长98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元。
报告强调，这一轮超级周期将持续至2027年，主要动力来自强劲的需求增长与有限的供应扩张之间的供需错配。野村预计，2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63%。在供应受限的背景下，产品价格将大幅上涨，预计DRAM和NAND的平均售价（ASP）将分别跃升46%和65%，推动存储芯片制造商的营业利润率重回历史高位。
野村指出，除了AI服务器的强劲需求外，通用服务器市场的复苏也是关键驱动力。随着大型科技公司恢复传统云服务器投资，预计2026年通用服务器相关内存（如DDR4和DDR5）需求将增长约50%。同时，AI推理工作负载的增加推动了数据中心对高性能存储的需求，企业级固态硬盘（eSSD）需求预计将在明年翻倍，这将导致NAND库存迅速下降并推高价格。
AI与通用服务器共振，驱动HBM与DRAM需求
野村认为，本次超级周期的核心在于AI服务器与通用服务器需求的双重共振。在AI领域，随着英伟达推出Rubin GPU平台，HBM4的需求将在2026年开始爬坡。野村预计，SK海力士将在2026年第一季度开始出货HBM4，而三星和美光科技则紧随其后在第二季度跟进。此外，随着ASIC（专用集成电路）供应商的积极扩产，HBM厂商对英伟达的单一依赖度将从2026年起降低，从而缓解潜在的产能过剩风险。
野村预测，受强劲需求和产能优先分配给HBM的影响，商品DRAM的短缺将持续，并在2026年至2027年将其营业利润率推高至约70%的水平。
数据中心存储转型，引爆NAND与eSSD市场
在NAND领域，eSSD正在成为主要的增长引擎，预计将占到2026年NAND总需求的约40%。野村分析称，随着AI工作负载从训练转向推理，市场对能够提供实时响应的高性能存储需求激增，甚至导致HDD（机械硬盘）供应短缺，进而加速了需求向SSD的转移。
报告指出，QLC技术的采用提高了SSD的成本效益和总拥有成本（TCO）优势。野村预计，受传统数据中心和AI数据中心的双重存储需求驱动，加上HDD供应不足，2026年eSSD需求将增长超过100%。这也将推动NAND行业的营业利润率从目前的盈亏平衡或微利状态大幅改善，预计在2026年达到30%至40%的繁荣水平。
供应瓶颈持续，产能扩张受限于洁净室短缺
尽管需求端极其强劲，但供应端的反应却受到物理条件的限制。野村强调，由于洁净室（cleanroom）的可用性不足，全球存储行业的供应扩张在2027年中期之前将非常有限。这一供应瓶颈已经反映在现货市场上，自今年10月以来，DRAM现货价格已飙升200%至300%，NAND晶圆现货价格也上涨了140%。
野村解释称，即便厂商决定扩产，从设备安装到芯片产出通常需要较长时间。而在当前的技术迁移期（如向1C纳米制程过渡），晶圆产能实际上会减少10%至15%，且初期良率较低，导致实际位元产出增长受限。此外，HBM4的生产需要更多晶圆消耗，进一步挤占了商品DRAM的产能。因此，直到2027年之前，市场无需担忧大宗存储芯片会出现供应过剩。
下游成本压力加剧，消费电子需求或受抑制
虽然上游存储厂商将迎来盛宴，但对于下游的PC和智能手机制造商而言，2026年将是充满挑战的一年。野村警告称，存储芯片价格的飙升将显著推高PC和智能手机的BOM成本，进而压缩厂商利润或迫使其提价。
报告预测，受成本上涨及换机需求提前释放的影响，2026年全球PC出货量可能同比下降2.8%，智能手机出货量或同比下降1.7%。特别是对于中低端智能手机，由于存储成本在BOM中占比较高（超过15%），其受到的冲击将远大于旗舰机型。相比之下，苹果凭借高利润率、强大的议价能力和长期供应协议，受存储价格上涨的影响相对较小，其供应链在2026年上半年仍有望保持适度增长。
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